Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур
Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур
Low-temperature liquid-phase epitaxy of p-Si layers in composition of p-i-n Si high-voltage structures |
|
| Creator |
Ваків, М. М.
Круковський, С. І. Тимчишин, В. Р. |
|
| Subject |
сильно леговані шари
епітаксіальні структури висока підстава відчутний опір liquid-phase epitaxy heavily doped layers epitaxial structures the high substrate resistivity |
|
| Description |
Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range. |
|
| Date |
2012-02-20T13:58:18Z
2012-02-20T13:58:18Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ваків М. М. Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 50–54. – Бібліографія: 4 назви.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/11525 |
|
| Language |
ua
|
|
| Publisher |
Видавництво Львівської політехніки
|
|