Запис Детальніше

Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs

Електронний науковий архів Науково-технічної бібліотеки Національного університету "Львівська політехніка"

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs
Simulation of physical and chemical processes of growing In-As-GaAs solid solution crystals
 
Creator Большакова, І. А.
Кость, Я. Я.
Макідо, О. Ю.
Стецко, Р. М.
Швець, О. В.
Шуригін, Ф. М.
 
Subject моделювання
твердий розчин
мікрокристали
арсенід індію
арсенід галію
solid solution
modeling
microcrystals
indium arsenide
gallium arsenide
 
Description Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний
розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied
system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.
 
Date 2012-02-20T15:27:17Z
2012-02-20T15:27:17Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 99–104. – Бібліографія: 9 назв.
http://ena.lp.edu.ua:8080/handle/ntb/11531
 
Language ua
 
Publisher Видавництво Львівської політехніки