Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN
|
|
| Creator |
Кудрик, Р.Я.
|
|
| Description |
Досліджено вплив дефектности епітаксійної плівки нітриду ґалію з концентрацією донорів ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механізми струмоперенесення в бар’єрних контактах на основі Au–TiBx–n-GaN на монокристалічному підложжі Al₂O₃.
Исследовано влияние дефектности эпитаксиальной плёнки нитрида галлия с концентрацией доноров ≈ 4∙10¹⁷ см⁻³ на механизмы токопереноса в барьерных контактах на основе Au–TiBx–n-GaN на монокристаллической подложке Al₂O₃. The influence of gallium nitride epitaxial-film structure imperfection with donor concentration of ≈ 4∙10¹⁷ cm⁻³ on the charge-transport mechanisms in barrier contacts based on Au–TiBx–n-GaN on a monocrystalline substrate of Al₂O₃ are investigated. |
|
| Date |
2016-10-17T15:38:19Z
2016-10-17T15:38:19Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN / Р.Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2015. — Т. 13, № 3. — С. 449-457. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
1816-5230 PACS numbers: 71.55.Ak, 73.30.+y, 73.61.Jc, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls, 85.40.Xx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/107290 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології
|
|
| Publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
|
|