Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
|
| Description |
В двухбарьерной кремниевой n⁺⁺pnn⁺-структуре в режиме запирания nn⁺-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.
В двобар’єрній кремнієвій n⁺⁺pnn⁺-структурі в режимі замикання nn⁺-p-переходу в передпробійній області при підсвічуванні одиночним імпульсом виявлено явище оптичної пам’яті, а при подачі прямого порогового струму до p-n-переходу виявляється електрична польова пам’ять. In double-barrier silicon n⁺⁺pnn⁺-structure in a reverse biasing mode of nn⁺-p-junction in pre-breakdown region at illumination by a single pulse the phenomenon of optical memory is detected, and at submission of a direct threshold current to p-n-junction the electric field memory is found out. |
|
| Date |
2016-11-05T17:44:40Z
2016-11-05T17:44:40Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Явление памяти в двухбарьерной n⁺⁺pnn⁺-структуре / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 3. — С. 357-359. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108476 621.383.52:535.243 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|