Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
|
|
| Creator |
Дяденчук, А.Ф.
Кидалов, В.В. |
|
| Description |
В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.
У даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі. In this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM. |
|
| Date |
2016-11-05T21:27:43Z
2016-11-05T21:27:43Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108493 539.217; 544.723 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|