Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках
|
|
| Creator |
Гулямов, Г.
Дадамирзаев, М.Г. |
|
| Description |
Показано влияние амплитуды и частоты деформации на площади фазовых траекторий в двухмерном (ne-ε) пространстве. Размеры фазовых траекторий сильно зависят от амплитуды и частоты деформации приложенной к образцу. При уменьшении амплитуды деформации размеры фазовых траекторий уменьшаются как по высоте, так и по ширине. Вследствие этого изменяются концентрации электронов. При увеличении частоты деформации уменьшается фазовая траектория. Вследствие этого уменьшается изменение концентрации электронов.
Показано вплив амплітуди і частоти деформації на площі фазових траєкторій у двовимірному (ne-ε) просторі. Розміри фазових траєкторій сильно залежать від амплітуди і частоти деформації прикладеної до зразка. При зменшенні амплітуди деформації розміри фазових траєкторій зменшуються як за висотою, так і за шириною. Внаслідок цього змінюються концентрації електронів. При збільшенні частоти деформації зменшується фазова траєкторія. Внаслідок цього зменшується змінювання концентрації електронів. Shows the influence of the amplitude and frequency of the strain on the area of the phase trajectories in the two-dimensional (ne-ε) space. The dimensions of the phase trajectory is strongly dependent on the amplitude and frequency of the strain applied to the sample. With decreasing strain amplitude dimensions of the phase trajectories is reduced both in height and width. Due to the change of the electron concentration. By increasing the frequency of deformation decreases the phase trajectory. Because of this change in the electron density decreases. |
|
| Date |
2016-11-05T21:34:29Z
2016-11-05T21:34:29Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Зависимости изменения концентрации избыточных электронов (Δn) от переменной деформации (ε) в полупроводниках / Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 510-514. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108496 621.362.1 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|