Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію
|
|
| Creator |
Сичікова, Я.О.
|
|
| Subject |
В даній роботі розглянуто технологічні засади отримання низькорозмірних структур на поверхні фосфіду індію, представлено варіації пристрою для отримання поруватих шарів на поверхні фосфіду індію n- та р-типу.
|
|
| Description |
В данной работе рассмотрены технологические основы получения низкоразмерных структур на поверхности фосфида индия, представлены вариации устройства для получения пористых слоев на поверхности фосфида индия n- и р-типа.
In this paper the technological fundamentals of low-dimensional structures on the surface of indium phosphide presents variations apparatus for producing porous layers on the surface of indium phosphide n-and p-type. Porous surface is formed by anodic electrolytic etching. |
|
| Date |
2016-11-05T21:36:26Z
2016-11-05T21:36:26Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технологічні засади формування поруватого простору на поверхні фосфіду індію / Я.О. Сичікова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 515-521. — Бібліогр.: 17 назв. — укр.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108497 539.217; 544.723 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|