Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe
|
|
| Creator |
Каримов, Ш.Б.
Каримов, Б.Х. |
|
| Description |
Разработана технология получения гетероструктурных солнечных элементов графен /CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо сформированных на стеклянных подложках и полиамидных плёнках. Исследуется, световые вольтамперные характеристики и определяются выходные параметры солнечных элементов.
Розроблено технологію одержання гетероструктурних сонячних елементів графен/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо, сформованих на скляних підкладинках і поліамідних плівках. Дослід-жуються, світлові вольт-амперні характеристики і визначаються вихідні параметри сонячних елементів. The technology of reception of graphene/CdS/CdTe/CdCl₂/Sb₂Te₃/Мо thin film solar cells on the glass substrates and polyamide film were developed. It is investigated the voltage-current characteristics of the solar cells is investigated and the output parameters of the solar cells is defined. |
|
| Date |
2016-11-12T15:55:01Z
2016-11-12T15:55:01Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Технология получения и исследование гетероструктурных солнечных элементов на основе n-Cds/p-CdTe / Ш.Б. Каримов, Б.Х. Каримов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 57-60. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108643 05-14-06 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|