Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа
|
|
| Creator |
Юлдашев, Х.Т.
Хайдаров, Б.З. Касымов, Ш.С. |
|
| Description |
Приведены экспериментальные результаты исследований вольт-амперных, люкс-амперных и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. В качества источника света использовался осветитель типа ОИ-24. Изменение интенсивности излучения, попадающего на вход системы, осуществлялось набором сеточных калиброванных фильтров. Рабочий диапазон спектра излучений и устранение фоновой засветки обеспечивались с помощью набора интерференционных и полупроводниковых светофильтров.
Наведено експериментальні результати досліджень вольт-амперних, люкс-амперних і фотографічних характеристик напівпровідникової фотографічної системи іонізаційного типу з надтонким газорозрядним осередком. В якості джерела світла застосовувався освітлювач типу ОИ-24. Змінювання інтенсивності випромінювання, що потрапляє на вхід системи, здійснювалося набором сіткових каліброваних фільтрів. Робочий діапазон спектра випромінювань і усунення фонової засвітки забезпечувалися за допомогою набору інтерференційних і напівпровідникових світлофільтрів. In work are brought results of the experimental studies of the current-voltage, photovoltaic and semiconductor ampere characteristics of photographic systems ionization type. The light source used illuminator OI-24 type. Changing the intensity of the radiation incident on the input of the system, carried out a set of grid calibrated filters. The working range of the spectrum of radiation and eliminating backlight were provided with a set of interference filters and semiconductor. |
|
| Date |
2016-11-14T17:38:17Z
2016-11-14T17:38:17Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование фотоэлектрических и фотографических характеристик полупроводниковой фотографической системы ионизационного типа / Х.Т. Юлдашев, Б.З. Хайдаров, Ш.С. Касымов // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 141-147. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108711 621.393.3:621.382:621.385 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|