Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5
|
|
| Creator |
Сычикова, Я.А.
|
|
| Description |
В работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.
В роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах. The paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems. |
|
| Date |
2016-11-14T17:43:45Z
2016-11-14T17:43:45Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108713 539.217; 544.723 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|