The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
|
|
| Creator |
Mirsagatov, Sh.A.
Uteniyazov, A.K. |
|
| Description |
In this paper the mechanism of current’s transport in the structure Al-p-CdTe-Mo is studied, when the thickness of the base w ≤ 10 μm. The results of study of current-voltage characteristics of the structure Al-p-Cd-Te-Mo with different thicknesses of the base and the influence of the thickness of the base on the mechanism of current’s transport are given.
В работе исследуется механизм переноса тока в структуре Al-p-CdTe-Mo, когда толщина базы w ≤ 10 μm. Приведены результаты исследований вольт-амперных характеристик структуры Al-p-CdTe-Mo с разными толщинами базы и влияния толщины базы на механизм переноса тока. У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму. |
|
| Date |
2016-11-15T14:38:05Z
2016-11-15T14:38:05Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base / Sh.A. Mirsagatov, A.K. Uteniyazov // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 325-329. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108760 53.043, 53.023.539.234 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|