Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Абдулхаев, О.А. |
|
| Description |
Экспериментально показано, что германиевые p⁺np- и кремниевые n⁺⁺pnn⁺-структуры в режиме запирания перехода со слаболегированной областью выполняют функцию биполярного транзистора с соответствующим рабочим диапазоном и фоточувствительностью. В режиме запирания перехода с сильнолегированной областью приобретают улучшенные фотодиодные и транзисторные свойства, связанные с динамикой расширения областей объемного заряда и реализацией туннельного и лавинного механизмов пробоя.
Експериментально доведено, що германієві p⁺np- і кремнієві n⁺⁺pnn⁺-структури в режимі замикання переходу зі слаболегованою ділянкою виконують функцію біполярного транзистора з відповідним робочим діапазоном і фоточутливістю. У режимі замикання переходу із сильнолегованою ділянкою набувають поліпшені фотодіодні і транзисторні властивості, пов’язані з динамікою розширення областей об’ємного заряду і реалізацією тунельного та лавинного механізмів пробою. It is experimentally shown that the germanium p⁺np- and silicon n⁺⁺pnn⁺-structures in blocking mode of the junction with a lightly doped region operate as the bipolar transistor with a corresponding operating range and photosensitivity. In the blocking mode of the junction with a heavily doped region they acquires improved photodiode and transistor properties associated with the expansion dynamics of the space charge regions and development of the tunnel and avalanche breakdown mechanisms |
|
| Date |
2016-11-15T14:44:08Z
2016-11-15T14:44:08Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Физические явления в тонкобазовых транзисторных структурах / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, О.А. Абдулхаев // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 3. — С. 330-334. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
1999-8074 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108761 621.383.52:535.243 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физическая инженерия поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|