Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію
|
|
| Creator |
Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П. |
|
| Description |
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки перед вимірюваннями тензоопору відпалювалися перший раз при 450 °С, а другий раз – при 650 °С протягом різних проміжків часу (в інтервалі 0 ≤ t ≤ 45 год). Досліджено також зміни рухливості носіїв заряду μ та параметра анізотропії рухливості K=μ/μ у монокристалах n-Si(P) у залежності від часу їх термовідпалу (в межах 0 ≤ t ≤ 10 год) при двох фіксованих значеннях температури відпалу (450 і 650 °С).
At 77.4 K, the resistivity changes ρx/ρ₀ depending on the uniaxial mechanical compression, which varied within the range 0 ≤ Х ≤ 0,8 GPа, were investigated on the samples of n-Si(P) oriented along the crystallographic direction [100]. Before measurements of tensoresistance, the samples were annealed at first time at 450 °С, and a second time – at 650 °С for various periods of time (within the range 0 ≤ t ≤ 45 h). The changes of the charge carrier mobility μ and the parameter of mobility anisotropy K=μ/μ in n-Si (P) single crystals depending on the time of thermoannealing (within the range 0 ≤ t ≤ 10 h) at two fixed values of the annealing temperature (450 and 650 °С) were also studied. |
|
| Date |
2016-11-17T17:47:24Z
2016-11-17T17:47:24Z 2014 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вплив термовідпалів при 450 і 650 °С на тензоопір і параметр анізотропії рухливості монокристалів кремнію / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2014. — Вип. 49. — С. 42-47. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/108923 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|