Запис Детальніше

Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов
 
Creator Ружицкий, В.В.
Толстолуцкая, Г.Д.
Копанец, И.Е.
Никитин, А.В.
Карпов, С.А.
 
Subject Физика радиационных повреждений и явлений в твердых телах
 
Description Приведены результаты исследования кинетики процессов, происходящих в системе «цирконий-водород» в интервале температур от начала ухода атомов газа из профиля внедрения до начала выхода атомов из кристаллической решетки металла. Результаты получены при помощи методик ионной имплантации, термодесорбционной спектрометрии и ядерно-физических методов. Изучены процессы газовыделения, эволюция профилей распределения ионно-имплантированного до доз 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² дейтерия и его перераспределение в объеме поликристаллического циркония при постимплантационных отжигах в интервале температур Ткомн...1300 °С.
Подано результати дослідження кінетики процесів, що відбуваються в системі «цирконій-водень» в інтервалі температур від початку виходу атомів газу з профілю впровадження до початку виходу атомів з кристалічної гратки металу. Результати отримано за допомогою методик іонної імплантації, термодесорбційної спектрометрії та ядерно-фізичних методів. Вивчено процеси газовиділення, еволюція профілів розподілу іонно-імплантованого до доз 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² дейтерію та його перерозподіл в об’ємі полікристалічного цирконію при постімплантаційних відпалах в інтервалі температур Ткімн...1300 °С.
The results of research of processes kinetics that occur in the system «zirconium-hydrogen» in the temperature range from gas atoms escape from the implantation profile to the start of atoms release from the crystalline lattice of metal are presented. Results are obtained by the methods of ion implantation, thermodesorbtion spectrometry (TD), nuclear-physical methods. The processes of gas release, evolution of depth profiles of ion-implanted to the doses 0,2...2·10²¹ D₂⁺· м⁻² deuterium and his redistribution in the volume of polycrystalline zirconium at the postimplantation annealing in the temperature range Тroom...1300 °С are studied.
 
Date 2016-11-20T17:07:32Z
2016-11-20T17:07:32Z
2012
 
Type Article
 
Identifier Кинетика перераспределения ионно-имплантированного дейтерия в Zr В процессе постимплантационных отжигов / В.В. Ружицкий, Г.Д. Толстолуцкая, И.Е. Копанец, А.В. Никитин, С.А. Карпов // Вопросы атомной науки и техники. — 2012. — № 5. — С. 30-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
1562-6016
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/109086
539.71.112
 
Language ru
 
Relation Вопросы атомной науки и техники
 
Publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України