Запис Детальніше

Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами
 
Creator Венгер, Е.Ф.
Матвеева, Л.А.
Нелюба, П.Л.
 
Description Исследованы радиационно-стимулированные процессы в гетероструктурах С₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si и С₆₀/сплав ВТ6, которые происходят под влиянием -облучения ⁶⁰Со. Пленки толщиной 0,1–2 мкм осаждались на неподогретые подложки из порошка С₆₀ вакуумной сублимацией. Выявлены радиационно-стимулированные изменения оптических и механических свойств гетеросистем при изменении дозы облучения от 10⁶ до 4 10⁸ Р. Установлено, что они определяются развалом молекул С₆₀ и появлением новых углеродных фаз (графитоподобной или алмазоподобной). Показана возможность уменьшения внутренних механических напряжений, повышения износостойкости и радиационной стойкости гетероструктур с фуллеренами.
We have presented results of ⁶⁰Co γ-radiation influence on physical properties of C₆₀/Si, GeOx/C₆₀/Si, C₆₀/BT6 alloy heterostructures. C₆₀ films 0.1-2 μm thick were produced from C₆₀ fullerene powder by sublimation in vacuum on unheated substrates. We have used IR and Raman spectroscopy, profilometry to determine the structure, composition and physical properties of heterostructures depending on irradiation dose in the 10⁶-4x10⁸ R range. It has been revealåd that C₆₀ molecules decomposed after γ-irradiation and that new carbon structures form in the films with arising of new carbon phases (graphite-like or diamond-like ones). A possibility was shown to decrease the inner mechanical stresses, to increase wearesistance and radiation stability of heterostructures with fullerenes.
 
Date 2017-05-13T20:40:14Z
2017-05-13T20:40:14Z
2011
 
Type Article
 
Identifier Радиационно-стимулированные эффекты в гетероструктурах с фуллеренами / Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 43-48. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
0233-7577
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116695
621.315.952
 
Language ru
 
Relation Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України