Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки
|
|
| Creator |
Асніс, Ю.А.
Баранський, П.І. Бабич, В.М. Піскун, Н.В. Статкевич, І.І. |
|
| Description |
Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.
The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting. |
|
| Date |
2017-05-13T20:40:27Z
2017-05-13T20:40:27Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697 621.315,592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|