Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія
|
|
| Creator |
Паюк, О.П.
Ліщинський, І.М. Стронський, О.В. Влчек, M. Губанова, А.О. Криськов, Ц.А. Олексенко, П.Ф. |
|
| Description |
Наведено результати досліджень впливу легування на магнітні та термічні властивості, а також структуру склоподібних напівпровідників системи As–S, легованих марганцем масова частка (1, 2, 5, 8 %), хромом (масова частка 0,5, 0,75 %) й іттербієм (масова частка 0,5, 1, 2 %), за допомогою SQUID-магнітометра, диференційного сканувального калориметра та комбінаційного розсіювання світла. Оцінено енергію активації процесу переходу в скло з використанням формули Кісінджера.
The results are presented of investigations of doping influence on magnetic and thermal properties and structure of chalcogenide vitreous semiconductor of As-S samples doped with manganese (1, 2, 5, 8 % of weight), chromium (0.5 and 0.75 % weight), ytterbium (0.5, 1, 2 % of weight) and investigated with the use of SQUID-magnetometer, DSC and Raman scattering. The activation energy of glass transition was estimated using Kissinger's formula. |
|
| Date |
2017-05-13T20:40:33Z
2017-05-13T20:40:33Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О.П. Паюк, І.М. Ліщинський, О.В. Стронський, M. Влчек, А.О. Губанова, Ц.А. Криськов, П.Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 62-67. — Бібліогр.: 19 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116698 537.638.5+536.62 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|