Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx
|
|
| Creator |
Данько, В.А.
Індутний, І.З. Коломис, О.Ф. Стрельчук, В.В. Шепелявий, П.Є. |
|
| Description |
З використанням оптичних методик (поглинання в ІЧ- та видимій областях, КР-спектроскопія) досліджено реверсивний фотостимульований зсув краю поглинання (фотопотемніння) – ΔEg – наночастинок As₂S₃ у матриці SiO₁,₅. Під час формування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ фази халькогеніду розділяються на кластери, збагачені миш’яком або сіркою. Унаслідок експонування нанокомпозитів As₂S₃/SiO₁,₅ відбувається зменшення концентрації S–S- та збільшення концентрації As–Asзв ’язків, що є можливою причиною фотопотемніння. Спостерігалось значне збільшення ΔEg (до 4-кратного) у разі зменшення розмірів частинок халькогеніду в нанокомпозитних As₂S₃/SiO₁,₅ шарах порівняно з суцільними As₂S₃ плівками. Ефект збільшення ΔEg у нанокомпозитах пояснюється просторовим обмеженням дифузійного пробігу фотозбуджених носіїв у наночастинках As₂S₃, які знаходяться в діелектричній матриці.
The reversible photostimulated absorption edge shift (photodarkening), ΔEg, of As₂S₃ nanoparticles embedded into the SiO₁.₅ matrix is investigated with the use of optical methods (absorption in IR and visible rΔEgions, Raman spectroscopy). When forming the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites chalcogenide phases are separated into clusters enriched with arsenic or sulphur. As a result of the As₂S₃/SiO₁.₅ nanocomposites exposure the concentration of S-S bonds decreases and that of As-As bonds increases, which can give rise to photodarkening. As compared to continuous As₂S₃ films, the remarkable ΔEg increase (up to 4 times) with a decrease of chalcogenide particle sizes in the nanocomposite As₂S₃/SiO₁.₅ layers was observed. The effect of ΔEg increase in nanocomposites is related to a spatial confinement of a photoexcited carrier diffusion length in As₂S₃ nanoparticles embedded in a dielectric matrix. |
|
| Date |
2017-05-13T20:41:07Z
2017-05-13T20:41:07Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Реверсивне фотопотемніння в композитних наноструктурах As₂S₃/SiOx / В.А. Данько, І.З. Індутний, О.Ф. Коломис, В.В. Стрельчук, П.Є. Шепелявий // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 103-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116704 621.385.832 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|