Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах
|
|
| Creator |
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В. Ворощенко, А.Т. Кравецький, М.Ю. Лук’яненко, В.І. Луцишин, І.Г. |
|
| Description |
Досліджено механізми протікання струму у разі зворотних напруг зміщення в InAs p–n-переходах, виготовлених дифузією кадмію в підкладки n-типу провідності. Показано, що в інтервалі температур 162–291 К і за напруг зворотного зміщення ≤0,4 В спостерігається дифузійний механізм протікання струму. За нижчих температур Т < 162 К у дослідженому діапазоні напруг зміщення переважає тунельний струм. Запропоновано модель протікання зворотного тунельного струму за участю протяжних локальних дефектів, що перетинають активну область p–n-переходів, яка задовільно пояснює експериментальні результати.
The current transport mechanisms are investigated in InAs p-n-junctions, prepared by cadmium diffusion into substrates of n-type conductivity. It is shown that the diffusion current is observed at reverse bias voltages ≤0.4 in the temperature interval 162-291 К. At lower temperatures T < 162 K at the reverse biases used in the investigation the tunneling current dominantes. A model of the tunneling current via extended defects intersecting the active region of p-n-junctions is proposed, which satisfactorily explains experimental results. |
|
| Date |
2017-05-13T20:41:14Z
2017-05-13T20:41:14Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Зворотні ВАХ та механізми протікання струму в InAs-фотодіодах / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.Т. Ворощенко, М.Ю. Кравецький, В.І. Лук’яненко, І.Г. Луцишин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 111-118. — Бібліогр.: 21 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116705 21.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|