Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор)
|
|
| Creator |
Охрименко, О.Б.
|
|
| Description |
Систематизированы литературные данные по свойствам por-SiC, рассмотрены особенности формирования структуры SiC/por-SiC/TiO₂, где пористый карбид используется в качестве буферного слоя между оксидной пленкой TiO₂ и подложкой карбида кремния. Рассмотрены также особенности морфологии, элементного состава, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света в структурах SiC/por-SiC/TiO₂.
In the review was systematize of available literature data on the properties of the por-SiC as well as the peculiarities of structure formation SiC/por-SiC/TiO₂, where the porous carbide is used as a buffer layer between the oxide film of TiO₂ and silicon carbide substrate. The features of the morphology, elemental composition, photoluminescence and Raman scattering of light in structures SiC/por-SiC/TiO₂ was considered. Keywords: porous silicon carbide, photoluminescence, Raman scattering. |
|
| Date |
2017-05-14T12:11:52Z
2017-05-14T12:11:52Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние буферного слоя пористого карбида кремния на формирование границы раздела с оксидным слоем (обзор) / О.Б. Охрименко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 24-39. — Бібліогр.: 59 назв. — рос.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116712 538.9; 535.37 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|