Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин
|
|
| Creator |
Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П. |
|
| Description |
Досліджено анізотропію термоЕРС Δα (при електрон-фононному захопленні) в умовах направленої пружної деформації, встановлено зв’язок між недіагональними компонентами тензора термоЕРС α як для n-Si, так і для n-Ge, а також з’ясовано причини, які призводять у випадку багатодолинних напівпровідників (навіть за незначної анізотропії розсіяння) до комутаційного ефекту, характерного для недіагональних компонентів.
The anisotropy of thermoelectromotive Δα (at the electron-phonon entrainment) in the conditions of the directed elastic deformation was studied, the connection between the non-diagonal components of the thermoelectromotive tensor α both for n-Si, and for n-Ge was established, as well as the reasons that lead in the case of many-valley semiconductors (even at the insignificant scattering anisotropy) to the switching effect, typical for the non-diagonal components, were clarified. |
|
| Date |
2017-05-14T12:16:16Z
2017-05-14T12:16:16Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Про особливості анізотропії термоелектричних ефектів у напівпровідниках, пов’язаної зі специфікою прояву багатьох долин / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 46-50. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116714 621.315.592:537.226.5:537.322 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|