Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів
|
|
| Creator |
Венгер, Є.Ф.
Голотюк, В.М. Горбач, Т.Я. Панін, А.І. Смертенко, П.С. |
|
| Description |
Досліджено морфологічні, фотоелектричні, оптичні та фотовольтаїчні властивості n+–p–p+-структур сонячного елемента та поверхні кремнію, які обумовлено формуванням гібриду органіка–кремній. Органічний шар утворювався хімічним осадженням з водного розчину новокаїнаміду за кімнатної температури. Показано, що унаслідок сенсибілізації та функціоналізації Si-поверхні органічною плівкою коефіцієнт корисної дії (ККД) в n⁺–p–p⁺-Si-структурі промислового сонячного елемента збільшувався з 15,7 до 16,66 %. На n-Si створено органічно-неорганічний гібрид з ККД до 5 % і фотолюмінесцентними характристиками.
Increase of efficiency of the commercial solar cell structure approaching 16,66 % in comparison with 15,70 % is realized using chemical deposition in aqueous solution of the medical drug of novocainavide at room temperature. It is shown that the functionalization of n-Si-surface permits to create the organic - inorganic hybrid with efficiency up to 5 %, photovoltaic and photoluminescence properties. |
|
| Date |
2017-05-14T12:20:51Z
2017-05-14T12:20:51Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Сенсибілізація та функціоналізація поверхні та структур Si сонячних елементів / Є.Ф. Венгер, В.М. Голотюк, Т.Я. Горбач, А.І. Панін, П.С. Смертенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 59-63. — Бібліогр.: 12 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116716 537.312.5; 621.383 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|