Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
|
|
| Creator |
Венгер, Е.Ф.
Готовы, И. Шеховцов, Л.В. |
|
| Description |
Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN–GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоЭДС. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при Т = 850 °С спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN от 2 до 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при Т = 900 °С приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при Т = 950 °С происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN.
We studied the degradation process in NbN-GaAs Schottky contact by measuring spectral characteristics of lateral emf. The results obtained made it possible to establish a link between the spectrum form, nitrogen concentration in the NbN film and annealing temperature. After thermal annealing at T = 850 °C all the samples studied, with nitrogen content in the NbN film from 2 up to 20 %, demonstrate spectra of the same form, with two peaks of opposite signs. This indicates formation of Schottky contact between NbN and GaAs. Annealing at T = 900 °C results in a change of spectral characteristic form for the samples with nitrogen concentration in the NbN film of 15 an 20 % as well as formation of a conducting transition layer in the depletion region of Schottky contact and deterioration of its electrical characteristics. Annealing at T = 950 °C leads to Schottky contact degradation for the whole range of nitrogen concentration in the NbN film. |
|
| Date |
2017-05-14T12:28:59Z
2017-05-14T12:28:59Z 2012 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге / Е.Ф. Венгер, И. Готовы, Л.В. Шеховцов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 77-83. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116719 535.215.6 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|