Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд)
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд)
|
|
Creator |
Стронський, О.В.
Тельбіз, Г.М. Олексенко, П.Ф. |
|
Description |
Розглянуто сучасний стан розвитку методик синтезу і методів одержання морфологічних відмін (волокна, тонкі плівки, нанокристали, композити) халькогенідних безкисневих стекол та факторів, що спричиняють їх практичне застосування. Показано, що за розробленими на цей час ефективними методами синтезу можна одержати гомогенні стекла різної морфології практично без домішок кристал ічних часток, хімічних забруднень та фізичних дефектів. Розглянуто перспективні напрямки прикладного застосування синтезованих матеріалів, зокрема, як антивідбивн і покриття, хімічну сенсорику, теплобачення, нелінійну оптику, фотоніку тощо.
The short review of current state of development of methods of synthesis and methods of preparation of the morphological forms (fibers, thin films, nanocrystals, composites) chalcogenide glasses and the factors that cause their practical application is given. It is shown that the efficient synthesis methods allow to obtain homogeneous glasses with different morphology without crystalline particles, chemical impurities and physical defects. Considered promising areas of application use synthesized materials such as anty-reflection coatings, chemical sensing, thermal imaging, nonlinear optics, photonics, etc. |
|
Date |
2017-05-14T14:47:51Z
2017-05-14T14:47:51Z 2013 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд) / О.В. Стронський, Г.М. Тельбіз, П.Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 30-53. — Бібліогр.: 100 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116725 535.853.31; 621.315.592 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|