Запис Детальніше

Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд)

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд)
 
Creator Стронський, О.В.
Тельбіз, Г.М.
Олексенко, П.Ф.
 
Description Розглянуто сучасний стан розвитку методик синтезу і методів одержання морфологічних відмін (волокна, тонкі плівки, нанокристали, композити) халькогенідних безкисневих стекол та факторів, що спричиняють їх практичне застосування. Показано, що за розробленими на цей час ефективними методами синтезу можна одержати гомогенні стекла різної морфології практично без домішок кристал ічних часток, хімічних забруднень та фізичних дефектів. Розглянуто перспективні напрямки прикладного застосування синтезованих матеріалів, зокрема, як антивідбивн і покриття, хімічну сенсорику, теплобачення, нелінійну оптику, фотоніку тощо.
The short review of current state of development of methods of synthesis and methods of preparation of the morphological forms (fibers, thin films, nanocrystals, composites) chalcogenide glasses and the factors that cause their practical application is given. It is shown that the efficient synthesis methods allow to obtain homogeneous glasses with different morphology without crystalline particles, chemical impurities and physical defects. Considered promising areas of application use synthesized materials such as anty-reflection coatings, chemical sensing, thermal imaging, nonlinear optics, photonics, etc.
 
Date 2017-05-14T14:47:51Z
2017-05-14T14:47:51Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Властивості і застосування халькогенідних стекол. Частина I (огляд) / О.В. Стронський, Г.М. Тельбіз, П.Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 30-53. — Бібліогр.: 100 назв. — укр.
0233-7577
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116725
535.853.31; 621.315.592
 
Language uk
 
Relation Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України