Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках
|
|
| Creator |
Баранський, П.І.
Гайдар, Г.П. |
|
| Description |
Розглянуто фізичні чинники, що забезпечують появу анізотропії термоЕРС у багатодолинних напівпровідниках за умов направленої пружної деформації, а також зв’язки, які існують між параметрами анізотропії термоЕРС.
This work devoted to consideration of the physical factors which provide the appearance of the anisotropy of thermoelectromotive in the multivalley semiconductors in a conditions of the directed elastic deformation, as well as to establishment of the bond that exists between the parameters of the anisotropy of thermoelectromotive and the anisotropy of mobility |
|
| Date |
2017-05-14T14:47:58Z
2017-05-14T14:47:58Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Фізичні фактори, що зумовлюють анізотропію термоерс і анізотропію рухливості в багатодолинних напівпровідниках / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 54-59. — Бібліогр.: 20 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116726 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|