Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками
|
|
| Creator |
Стрельчук, В.В.
Николенко, А.C. Каганович, Э.Б. Крищенко, И.М. Манойлов, Э.Г. |
|
| Description |
Рассмотрены пористые нанокомпозитные пленки оксида алюминия с нанокристаллами кремния (Si НК/por-Al₂O₃), полученные импульсным лазерным осаждением из обратного потока частиц эрозионного факела на подложку, расположенную в плоскости мишени. Для спектров комбинационного рассеяния света этих пленок изучали эффекты пространственного ограничения фононов и локального нагрева, вызванного поглощением лазерного излучения. Эффект нагрева анализировали с учетом ангармонизма, участием трех и четырех фононов в процессе диссипации энергии.
Porous nanocomposite films of alumina with silicon nanocrystals have been obtained by pulsed laser deposition from reverse flux of the torch particles onto the substrate lying in the plane of target. We explore the effects of phonon confinement and local heating caused by laser beam absorption on the Raman spectra of these films. The heating effect was analyzed by taking into account the anharmonicity which is incorporated through the three and four phonon decay process. |
|
| Date |
2017-05-14T14:48:18Z
2017-05-14T14:48:18Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Спектры комбинационного рассеяния света пористых нанокомпозитных пленок оксида алюминия с Si квантовыми точками / В.В. Стрельчук, А.C. Николенко, Э.Б. Каганович, И.М. Крищенко, Э.Г. Манойлов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 73-81. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116729 535.375.5 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|