Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si
|
|
| Creator |
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В. Іващенко, В.І. Порада, О.К. Козак, А.О. Ткачук, А.І. Ворощенко, А.Т. |
|
| Description |
Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196–353 К, виготовлених плазмохімічним способом при порівняно низьких (Т < 300 °С ) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеромежі у механізмах перенесення зяряду та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. Показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії монополярної інжекції з рівномірним розпод ілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно-рекомбінаційної компонент. Фоточутливість гетеропереходів поясню ється локалізацією активної області виключно в p-Si.
The dominant mechanisms of charge transport are established in heterojunctions a-SiCN/c-Si in the temperature range 196-353 K which were produced by plasma chemical method deposition of amorphous layers of SiCN on p-type single crystal Si substrates with a hole type conductivity at relatively low (T < 300 °C) temperature. The role of the heterointerface in the mechanisms of charge transport and photosensitivity of heterojunctions is investigated. The basic electrical parameters of a-SiCN layers are estimated. It is shown that the direct current-voltage characteristics are explained by unipolar injection of electrons for a uniform distribution of traps in the gap. The reverse characteristics are determined by contribution of thermal generation and tunnel-recombination current. Photosensitive region of the heterojunctions is shown to be exclusively localized in p-Si. |
|
| Date |
2017-05-14T14:48:37Z
2017-05-14T14:48:37Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів a-SiCN/c-Si / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, В.І. Іващенко, О.К. Порада, А.О. Козак, А.І. Ткачук, А.Т. Ворощенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 96-104. — Бібліогр.: 18 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116732 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|