Запис Детальніше

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
 
Creator Квон, З.Д.
Ольшанецкий, Е.Б.
Михайлов, Н.Н.
Козлов, Д.А.
 
Subject XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
 
Description Дан краткий обзор результатов изучения свойств двумерных электронных систем (ДЭС) в квантовых ямах (КЯ) на основе двойного гетероперехода CdHgTe/HgTe/CdHgTe с ориентацией поверхности (100) и (013). Описаны основные особенности энергетического спектра. Приведены результаты экспериментов, позволяющие получить информацию о параметрах данного спектра. На основе измерения циклотронного резонанса найдена зависимость эффективной массы двумерных электронов в HgTe квантовых ямах с инвертированной зонной структурой от их концентрации (Ns) в диапазоне 2,2•10¹¹ cм⁻²≤Ns≤ 9,6•10¹¹ cм⁻². Эта зависимость указывает на заметную непараболичность спектра: масса растет с ростом Ns от значения (0,026 ± 0,005)m₀ до (0,0335 ± 0,005)m₀. Обсуждается гигантское спиновое расщепление, наблюдаемое в асимметричных КЯ HgTe, и излагаются результаты экспериментального исследования переходов квантовая холловская жидкость-изолятор и плато-плато в ДЭС в квантовых ямах на основе теллурида ртути. Описана недавно обнаруженная в исследованных КЯ двумерная электронно-дырочная система, являющаяся первой реализацией двумерного полуметалла. Установлено, что она возникает в слаболегированных КЯ с инвертированной зонной структурой и ориентацией поверхности (013). Обнаружен целый ряд особенностей в магнитотранспорте (положительное магнитосопротивление, знакопеременный эффект Холла, аномальное поведение в режиме квантового эффекта Холла), связанных с одновременным существованием двумерных электронов и дырок.
Дано короткий огляд результатів вивчення властивостей двовимірних електронних систем (ДЕС) у
квантових ямах (КЯ) на основі подвійного гетеропереходу CdHgTe/HgTe/CdHgTe з орієнтацією поверхн
і (100) і (013). Описано основні особливості енергетичного спектра. Наведено результати експеримент
ів, що дозволяють одержати інформацію про параметри даного спектра. На основі вимірів циклотронного
резонансу знайдено залежність ефективної маси двовимірних електронів в HgTe квантових
ямах з інвертованою зонною структурою від їхньої концентрації (Ns) у діапазоні 2,2•10¹¹ cм⁻²≤Ns≤ 9,6•10¹¹ cм⁻². Ця залежність вказує на помітну непараболічність спектра: маса росте з ростом Ns від значення
(0,026 ± 0,005)m₀ до (0,0335 ± 0,005)m₀. Обговорюється гігантське спінове розщеплення, що спостер
ігається в асиметричних КЯ HgTe, та викладаються результати експериментального дослідження переход
ів квантова холлiвська рідина–ізолятор і плато–плато в ДЕС у квантових ямах на основі телуриду
ртуті. Описано недавно виявлену в досліджених КЯ двовимірну електронно-діркову систему, що є
першою реалізацією двовимірного напівметалу. Установлено, що вона виникає в слабколегованих КЯ з
інвертованою зонною структурою й орієнтацією поверхні (013). Виявлено цілий ряд особливостей у
магнітотранспорті (позитивний магнітоопір, знакозмінний ефект Холлу, аномальне поводження в режимі
квантового ефекту Холлу), то пов’язані з одночасним існуванням двовимірних електронів і дірок.
This publication gives a short review of the
properties of two-dimensional electron systems in
quantum wells based on a double heterostructure
CdHgTe/HgTe/CdHgTe with surface orientations
(100) and (013). The main features of the electron
system energy spectrum are described. The dependence
of the effective mass of two-dimensional electrons
in HgTe quantum wells versus their density
2,2•10¹¹ cм⁻²≤Ns≤ 9,6•10¹¹ cм⁻² has been obtained
from the cyclotron resonance measurements.
This dependence is indicative of a marked nonparabolicity
of the energy spectrum: the effective mass
increases with the density Ns from (0.026±0.005)m₀
to (0.0335±0.005)m₀. The paper contains a discussion
of a giant spin splitting observed in asymmetrical
HgTe quantum wells and presents the results of
the experimental study of the quantum Hall liquid–quantum
Hall insulator and plateau–plateau
transitions in a two-dimensional electron system in
HgTe quantum wells. Also presented in the paper is
a new type of electron-hole system observed in the
investigated HgTe quantum wells that is the first realization
of a two-dimensional semimetal. It is established
that this system is realized in weakly
doped quantum wells with inverted band structure
and surface orientation (013). A number of magnetotransport
phenomena associated with a co-existence
of two-dimensional electrons and holes has
been observed: a positive magnetoresistance, a variable-sign
Hall effect, an anomalous behavior in the
quantum Hall effect regime.
 
Date 2017-05-14T19:29:58Z
2017-05-14T19:29:58Z
2009
 
Type Article
 
Identifier Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe / З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, Д.А. Козлов // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 10-20. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
PACS: 73.43.Qt; 73.63.Hs
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116741
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України