Doped nanoparticles for optoelectronics applications
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Doped nanoparticles for optoelectronics applications
|
|
| Creator |
Godlewski, M.
Wolska, E. Yatsunenko, S. Opalińska, A. Fidelus, J. Łojkowski, W. Zalewska, M. Kłonkowski, A. Kuritsyn, D. |
|
| Subject |
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
|
|
| Description |
Nanoparticles of wide band gap materials doped with transition metal ions or rare earth ions are intensively studied for their possible applications in a new generation of light sources for an overhead illumination. In this work we discuss mechanisms of emission enhancement in nanoparticles doped with rare earth or/and transition metal ions. Arguments are presented that phosphors of nanosize may emit light more efficiently and thus be applied in practical optoelectronic devices.
|
|
| Date |
2017-05-15T04:59:42Z
2017-05-15T04:59:42Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Doped nanoparticles for optoelectronics applications / M. Godlewski, E. Wolska, S. Yatsunenko // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.
PACS: 81.07.Wx, 78.47.–p, 78.55.–m, 78.55.Hx http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116764 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|