InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II)
|
|
| Creator |
Сукач, А.В.
Тетьоркін, В.В. Матіюк, І.М. Ткачук, А.І. |
|
| Description |
Проаналізовано найбільш важливі технологічні операції виготовлення дифузійних InSb фотодіодів – хіміко-механічне та хіміко-динамічне полірування поверхні підкладок, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації, дифузію акцепторної домішки кадмію. Детально описано способи виготовлення дифузійних InSb p-n-переходів, у яких загальний темновий струм визначається сумою генераційно-рекомбінаційної та дифузійної складових. Узагальнено літературні дані з технології виготовлення InSb фотодіодів.
Analyzed have been the most important technological operations used for preparing the diffusion InSb photodiodes, namely: chemical-mechanical and chemical-dynamic polishing the surface of substrates, passivation of photodiode active area and methods of its realization, diffusion of cadmium as an acceptor impurity. The methods of manufacturing the diffusion InSb p-n junctions, in which the total dark current is determined by summing the generation-recombination and diffusion components have been described in details. The published data on manufacturing technology of InSb photodiodes have been generalized. |
|
| Date |
2017-05-15T14:55:47Z
2017-05-15T14:55:47Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
InSb фотодіоди (Огляд. Частина II) / А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, І.М. Матіюк, А.І. Ткачук // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 69-90. — Бібліогр.: 82 назв. — укр.
0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116783 621.315.592 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|