Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями
|
|
| Creator |
Окулов, В.И.
Памятных, Е.А. Альшанский, Г.А. |
|
| Subject |
Электронные свойства проводящих систем
|
|
| Description |
Дано теоретическое описание концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в гибридизированных состояниях на донорных примесях в полупроводнике с учетом влияния межэлектронного взаимодействия в рамках ферми-жидкостного подхода. Показано, что предсказываемая теорией зависимость, обусловленная ферми-жидкостным взаимодействием, из-за частичной локализации электронов на примесях в резонансном интервале является немонотонной.
Дано теоретичний опис концентраційної залежності g-фактора електронів провідності в гібридизованих станах на донорських домішках у напівпровіднику з урахуванням впливу міжелектронної взаємодії в рамках фермі-рідинного підходу. Показано, що залежність, яка передбачається теорією і обумовлена фермі-рідинною взаємодією, є немонотонною через часткову локалізацію електронів на домішках у резонансному інтервалі. The concentration dependence of conduction electrons g factor in hybridized states on donor impurities in a semiconductor is described theoretically with allowance for the electron–electron interaction in the framework of the Fermi-liquid approach. It is shown that the theoretical dependence, due to the Fermi-liquid interaction, is nonmonotonous because of partial localization of electrons on impurities in the resonance interval. |
|
| Date |
2017-05-18T17:30:20Z
2017-05-18T17:30:20Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Ферми-жидкостная аномалия концентрационной зависимости g-фактора электронов проводимости в полупроводнике с гибридизированными примесными состояниями / В.И. Окулов, Е.А. Памятных, Г.А. Альшанский // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 2. — С. 194-196. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp, 72.80.Ey http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116987 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|