Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте
|
|
| Creator |
Чернышов, Н.Н.
Слипченко, Н.И., Писаренко, В.М. Алкхавалдех, М. Слюсаренко, А.А. Левченко, Е.В. |
|
| Description |
В статье изучен 2D полупроводник, состоящий из тяжелых дырок и легких электронов. Ба-зовым условием является то, что электроны квантуются электромагнитным полем, а дырки остаются классическими. Предполагается, что взаимодействие между компонентами слабо или отсутствует. Используется кинетическое уравнение для дырок, которые сталкиваются с квантующими электронами. Установлено, что сопротивление и соответствующая поправка к рассеивающей проводимости σxx не исчезают при нулевой температуре из-за влияния уровней Ландау. Эта поправка возникает, когда уровень Ферми пересекает уровень Ландау. Найдены пределы применения кинетического уравнения и рассмотрено явление кинетической памяти, когда частицы многократно возвращаются к своим местам встречи.
У статті вивчено 2D напівпровідник, що складається з важких дірок та легких електронів. Базовою умовою є те, що електрони квантуються електромагнітним полем, а дірки залиша-ються класичними. Передбачається, що взаємодія між компонентами слаба або відсутня. Використовується кінетичне рівняння для дірок, які стикаються з квантуючими електронами. Встановлено, що опір та відповідна поправка до розсіювальної провідності σxx не зникають при нульовій температурі через вплив рівнів Ландау. Ця поправка виникає, коли рівень Фермі перетинає рівень Ландау. Знайдені межі застосування кінетичного рівняння і розглянуто явище кінетичної пам’яті, коли частинки багаторазово повертаються до своїх місць зустрічі. The paper studies a 2D semiconductor consisting of heavy holes and light electrons. The basic condition is that the electrons are quantized by an electromagnetic field, and the holes are classic. It is assumed that the interaction between the components is weak or absent. The paper uses the kinetic equation for the holes that encounter with the quantizing electrons. It is found that the re-sistance and corresponding amendment to the scattering conductivity σxx do not disappear at zero temperature due to the influence of the Landau levels. This amendment arises when the Fermi level crosses the Landau level. The limits of applying the kinetic equation are found and the phenom-enon of kinetic memory is considered when the particles repeatedly return to their venues. |
|
| Date |
2017-05-18T12:25:30Z
2017-05-18T12:25:30Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Проводимость электронного газа, квантованного электромагнитным полем при фотогальваническом эффекте / Н.Н. Чернышов, Н.И. Слипченко, В.М. Писаренко, М. Алкхавалдех, А.А. Слюсаренко, Е.В. Левченко // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 135-139. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116931 621.039.05 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Журнал физики и инженерии поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|