Запис Детальніше

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
 
Creator Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.М.
Кушнір, Б.В.
Товарницький, М.В.
 
Description Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃.
Методом прямого оптического контакта созданы гетеропереходы n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. С помощью АСМ-изображений исследована топология ван-дер-ваальсовой поверхности исходных кристаллов InSe и In₄Se₃. Построена зонная диаграмма гетероперехода n-InSe–p-In₄Se₃. Обнаружено, что для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коэффициент идеальности ВАХ равный 1,1. Установлена область спектральной чувствительности гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃.
Heterojunctions n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ were prepared by direct optical contact method. The topology of van der Waals surfaces of InSe and In₄Se₃ basis crystals were investigated by atomic force microscopy. The energy band diagram of the n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions were constructed. It was found that the diode factor of n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions had the value 1,1. The sensitivity spectral areas of n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ heterostructures were identified.
 
Date 2017-05-18T18:32:22Z
2017-05-18T18:32:22Z
2016
 
Type Article
 
Identifier Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
2519-2485
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116998
544.22, 537.623
 
Language uk
 
Relation Журнал физики и инженерии поверхности
 
Publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України