Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів ІнформаціяПоле | Співвідношення | |
Title |
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
|
|
Creator |
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.М. Кушнір, Б.В. Товарницький, М.В. |
|
Description |
Методом прямого оптичного контакту створені гетеропереходи n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃. За допомогою АСМ-зображень досліджено топологію ван-дер-ваальсової поверхні вихідних кристалів InSe та In₄Se₃. Побудована зонна діаграма гетеропереходу n-InSe–p-In₄Se₃. Виявлено, що для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коефіцієнт ідеальності ВАХ рівний 1,1. Встановлена область спектральної чутливості гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ та p-InSe–n-In₄Se₃.
Методом прямого оптического контакта созданы гетеропереходы n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. С помощью АСМ-изображений исследована топология ван-дер-ваальсовой поверхности исходных кристаллов InSe и In₄Se₃. Построена зонная диаграмма гетероперехода n-InSe–p-In₄Se₃. Обнаружено, что для ГП n-InSe–p-In₄Se₃ коэффициент идеальности ВАХ равный 1,1. Установлена область спектральной чувствительности гетероструктур n-InSe–p-In₄Se₃ и p-InSe–n-In₄Se₃. Heterojunctions n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ were prepared by direct optical contact method. The topology of van der Waals surfaces of InSe and In₄Se₃ basis crystals were investigated by atomic force microscopy. The energy band diagram of the n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions were constructed. It was found that the diode factor of n-InSe–p-In₄Se₃ heterojunctions had the value 1,1. The sensitivity spectral areas of n-InSe–p-In₄Se₃ and p-InSe–n-In₄Se₃ heterostructures were identified. |
|
Date |
2017-05-18T18:32:22Z
2017-05-18T18:32:22Z 2016 |
|
Type |
Article
|
|
Identifier |
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃ / З.Д. Ковалюк, В.М. Катеринчук, Б.В. Кушнір, М.В. Товарницький // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 242-245 . — Бібліогр.: 8 назв. — укр.
2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116998 544.22, 537.623 |
|
Language |
uk
|
|
Relation |
Журнал физики и инженерии поверхности
|
|
Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|