Створення гетероструктури n-InSe-графіт
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Створення гетероструктури n-InSe-графіт
|
|
| Creator |
Ковалюк, З.Д.
Ткачук, І.Г. Поцілуйко, Р.Л. Катеринчук, В.М. Нетяга, В.В. Камінський, В.М. |
|
| Description |
В даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу.
В данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса. This paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer. |
|
| Date |
2017-05-18T18:37:30Z
2017-05-18T18:37:30Z 2016 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Створення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр.
2519-2485 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117000 537.312, 535.215 |
|
| Language |
uk
|
|
| Relation |
Журнал физики и инженерии поверхности
|
|
| Publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
|
|