Электронное допирование NbSe₂
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Электронное допирование NbSe₂
|
|
| Creator |
Еременко, В.В.
Ибулаев, В.В. Сиренко, В.А. Шведун, М.Ю. Куликов, Л.М. Петрусенко, Ю.Т. Борисенко, В.М. Астахов, А.Н. Баранков, Д.Ю. |
|
| Subject |
Кpаткие сообщения
|
|
| Description |
Методами рентгеновской и электронной дифрактометрии исследовано влияние облучения быстрыми электронами на свойства диселенида ниобия гексагональной модификации 2H-NbSe₂. Обнаруженные изменения дифрактограмм объясняются перераспределением электронной плотности при облучении, а именно ее увеличением в плоскостях с большой плотностью упаковки - базисных и призматических - {110}, {210}. Появление диффузного рассеяния рентгеновских лучей и электронов при больших дозах облучения связывается с ростом плотности электронной ферми-жидкости.
Методами рентгенівської та електронної дифрактометрії досліджено вплив опромінення швидкими електронами на властивості діселеніду ніобію гексагональної модифікації 2H-NbSe₂. Виявлені зміни дифрактограм пояснюються перерозподілом електронної густини при опроміненні, а саме її збільшенням в площинах з великою щільністю упаковки — базисних та призматичних — {110}, {210}. Поява дифузного розсіювання рентгенівських променів і електронів при великих дозах опромінення зв’язується зі зростанням щільності електронної фермі-рідини. The influence of fast electrons irradiation on hexagonal niobium diselenid 2H-NbSe₂ has been studied by the methods of x-ray and electron diffraction. Detected changes on diffraction patterns are attributed to redistribution of electron density under irradiation, notably it increases in the planes with close packing — basal and prismatic — {110} and {210}. The appearance of x-rays and electrons diffuse scattering under high radiation doses is associated with increasing of the electronic Fermi-liquid density. |
|
| Date |
2017-05-20T11:33:04Z
2017-05-20T11:33:04Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Электронное допирование NbSe₂ / В.В. Еременко, В.В. Ибулаев, В.А. Сиренко, М.Ю. Шведун, Л.М. Куликов, Ю.Т. Петрусенко, В.М. Борисенко, А.Н. Астахов, Д.Ю. Баранков // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 5. — С. 545-548. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 72.10.-d, 74.25.Jb. http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117172 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|