Запис Детальніше

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
 
Creator Вальков, В.В.
Аксенов, С.В.
Уланов, Е.А.
 
Subject XIX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
 
Description В результате расчета транспортных характеристик одиночной магнитной примеси показано, что присутствие разных эффективных каналов для прохождения электрона приводит к реализации эффекта Фано. Отмечено, что приложение внешнего магнитного поля и электрического поля затвора позволяет
управлять проводящими свойствами, обусловленными конфигурационным взаимодействием состояний в
системе.
В результаті розрахунку транспортних характеристик поодинокої магнітної домішки показано, що
присутність різних ефективних каналів для проходження електрона призводить до реалізації ефекту Фано. Відмічено, що додаток зовнішнього магнітного поля і електричного поля затвора дозволяє управляти
властивостями, що проводять, обумовленими конфігураційною взаємодією станів в системі.
The calculation of single magnetic impurity’s
transport characteristics has showed that presence of
different effective channels for electron transmission
results the Fano effect. It was noticed the external
magnetic field and gate voltage allow to control of
conducting properties which are specified by the configuration
interaction between states of the system.
 
Date 2017-05-28T16:54:41Z
2017-05-28T16:54:41Z
2013
 
Type Article
 
Identifier Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь / В.В. Вальков, С.В. Аксенов, Е.А. Уланов // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 1. — С. 48–52. — Бібліогр.: 33 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 75.76.+j, 72.25.–b, 85.75.–d
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118095
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України