Запис Детальніше

Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors
 
Creator Bryksa, V.P.
Tarasov, G.G.
Masselink, W.T.
Nolting, W.
Mazur, Yu.I.
Salamo, G.J.
 
Description Novel model of the diluted magnetic semiconductors (DMS) А₁₋xMnxВ possessing the
metallic conductivity is proposed. Using the coherent potential technique the electron scattering
by the randomly distributed Mn centers is taken into account. The exchange scattering of the
electron spin by the localized magnetic mo exactly basing on the
spin-polaron limit for the Vonsovskii Hamiltonian.
 
Date 2017-05-28T18:57:55Z
2017-05-28T18:57:55Z
2004
 
Type Article
 
Identifier Diluted magnetic А₁₋xMnxВ semiconductors / V.Р. Bryksa, G.G. Tarasov, W.T. Masselink, W. Nolting, Yu.I. Mazur, G.J. Salamo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 42 назв. — англ.
1560-8034
PACS: 72.15.Gd; 72.20.Му; 73.61.Ga
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118155
 
Language en
 
Relation Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
 
Publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України