Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
|
|
| Creator |
Гудина, С.В.
Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
|
| Subject |
Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
|
|
| Description |
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить від температури. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances are measured as a function of transverse magnetic field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly- coupled double quantum wells in the temperature range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T before and after low-temperature infrared irradiation. The appearance of persistent photoconductivity causes the type of the temperature dependence of resistance to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures. It is shown that this is connected with the temperature dependence of electron density. The strong temperature dependence of electron mobility observed before the illumination practically disappears after infrared irradiation. |
|
| Date |
2017-05-29T16:14:19Z
2017-05-29T16:14:19Z 2013 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Влияние инфракрасного излучения на квантовый
магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs
с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118300 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|