Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
|
|
| Creator |
Фальковский, Л.А.
|
|
| Subject |
Низкоразмерные структуры
|
|
| Description |
Рассмотрены осцилляции запрещенной щели, химического потенциала и концентрации носителей на графеновом бислое в квазиклассическом магнитном и поперечном электрическом поле, создаваемом напряжением на затворе.
Розглянуто осциляції забороненої щілини, хімічного потенціалу й концентрації носіїв на графеновому бішарі у квазікласичному магнітному й поперечному електричному полі, яке створюється напругою на затворі. The oscillations of forbidden gap, chemical potential and carrier concentration on a graphene bilayer at a quasi-classical magnetic field and a transverse electrical one produced by gate voltage are considered. |
|
| Date |
2017-05-31T07:41:07Z
2017-05-31T07:41:07Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое / Л.А. Фальковский // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1022–1026. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 73.20.At, 73.21.Ac, 73.43.–f, 81.05.U– http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118780 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|