Electronic structure of mixed valent systems
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electronic structure of mixed valent systems
|
|
| Creator |
Antonov, V.N.
Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
|
| Description |
The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties.
Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей. |
|
| Date |
2017-06-01T15:48:41Z
2017-06-01T15:48:41Z 2004 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ.
1607-324X PACS: 71.28.+d, 71.25.Pi, 75.30.Mb DOI:10.5488/CMP.7.2.211 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118954 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|