Запис Детальніше

Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода
 
Creator Игнатьева, Т.А.
Великодный, А.Н.
 
Subject Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
 
Description Исследованы особенности изменения температуры сверхпроводящего перехода Тс сплавов
Re₁–хMoх в интервале концентраций C до 5 ат.% Mо (в пределах твердого раствора) под давлением
Р до 10 кбар. Наблюдается нелинейное увеличение Тс до ≈5 К при добавлении примеси C ≈4,7 ат.%
Mo с перегибом при C ≈2,35 ат.% Mo. Зависимость (∂Tc/∂P)(C) имеет минимум при той же концентрации
Mo. Это свидетельствует о наличии критической энергии Ec < E⁰F в электронном спектре Re.
Примесь Mo, электроотрицательная относительно Re, понижает энергию Ферми E⁰F Re и при пересечении
Ec — вершины заполненной d-зоны, ниже уровня Ферми происходит электронно-топологический
переход (ЭТП) под действием примеси Mo при концентрации C ≈2,35 ат.%. Минимум и
асимметрия (1/Tc)( ∂Tc/∂P)(C) соответствуют появлению новой дырочной полости поверхности Ферми.
На уровень Ферми выходят d-электроны с высокой плотностью электронных состояний, что дает
существенный вклад в увеличение Тс. При количественном сравнении теории с экспериментом определено
расстояние E⁰F Ec ≈ 0,017 эВ, а также другие параметры ЭТП.
Дослiджено особливості змінювання температури надпровідного переходу Тс сплавів
Re₁–хMoх в інтервалі концентрацій C до 5 ат.% Mо (у межах твердого розчину) під тиском Р до 10
кбар. Спостерігається нелінійне збільшення Тс до ≈ 5 К при додаванні домішки C ≈ 4,7 ат.% Mo з
перегином при C ≈ 2,35 ат.% Mо. Залежність (∂Tc/∂P)(C) має мінімум при цій же концентрації Mo.
Це свідчить про наявність критичної енергії Ec < E⁰F в електронному спектрі Rе. Домішка Mo,
електронегативна відносно Re, зменшує енергію Фермі EF 0 Re та при перетинанні Ec — вершини
заповненої d-зони, нижче рівня Фермі здійснюється електронно-топологічний перехід (ЕТП) під
дією домішки Mо при концентрації C ≈ 2,35 ат.%. Мінімум та асиметрія (1/Tc)(∂Tc/∂P)(C)
відповідають появі нової діркової порожнини поверхні Фермі. На рівень Фермі виходять d-електрони
з високою густиною електронних станів, що дає значний вклад у підвищення Тс. При
кількісному порівнянні теорії з експериментом визначено віддаль E⁰F Ec ≈ 0,017 эВ, а також інші
параметри ЕТП.
The peculiarities of superconducting transition
temperature Tc in the Re₁–хMoх alloys of
concentrations up to 5% (within the solid solution)
have been studied under pressure P up to
10 kbar. A nonlinear increase of Tc to ≈ 5 K
when adding the impurity of C ≈ 4.7 at.% Mo
with a bend at C ≈ 2.35 at.% Mo is observed.
The derivative (∂Tc /∂P)(C) has a minimum at
the same Mo concentration. It evidences for the
presence of critical energy Ec in the electronic
spectrum of Re. The Mo impurity, being electron-
negative relative to pure Re, produces a decrease
in the Fermi energy E⁰F of Re. In the case
of intersecting Ec (the top of a filled d-zone) lying
below the Fermi level, there occur a electron-
topological transition (ETT) at the Mo concentration
of C ≈ 2.35 at.%. The minimum of
(1/Tc)(∂Tc/∂P)(C) and the asymmetry of the
derivative correspond to the appearance of a new
hole-cavity at the Fermi surface. d-electrons
with a high density of electronic states reach the
Fermi level resulting in a considerable increase
in Tc. The quantitative comparison of the theory
and experiment was used to obtain the energy
interval E⁰F - Ec
of about 0.017 eV and to estimate
other ETT parameters.
 
Date 2017-06-08T07:54:58Z
2017-06-08T07:54:58Z
2004
 
Type Article
 
Identifier Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода / Т.А. Игнатьева, А.Н. Великодный // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 523-534. — Бібліогр.: 24 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 72.15.–v, 72.15.Jf, 74.62.Yb
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119721
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України