Electric properties of the interface quantum dot — matrix
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix
|
|
| Creator |
Peleshchak, R.M.
Bachynsky, I.Ya. |
|
| Description |
A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric layer, that is n⁺ - n junction. У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд. |
|
| Date |
2017-06-10T16:35:53Z
2017-06-10T16:35:53Z 2009 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Electric properties of the interface quantum dot — matrix / R.M. Peleshchak, I.Ya. Bachynsky // Condensed Matter Physics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 215-223. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
1607-324X PACS: 68.65.Hb, 73.21.La, 73.63.Kv DOI:10.5488/CMP.12.2.215 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119989 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|