Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation
|
|
| Creator |
Jakse, N.
Arifin, R. Lai, S.K. |
|
| Description |
Classical molecular-dynamics simulations were carried out to study epitaxial growth of graphene on 6H-SiC(0001) substrate. It was found that there exists a threshold annealing temperature above which we observe formation of graphitic structure on the substrate. To check the sensitivity of the simulation results, we tested two empirical potentials and evaluated their reliability by the calculated characteristics of graphene, its carbon-carbon bond-length, pair correlation function, and binding energy.
Для того, щоб дослiдити епiтаксiальний рiст графену на пiдкладцi 6H–SiC(0001) здiйснено симуляцiї методом класичної молекулярної динамiки. Знайдено iснування порогу температури вiдпалу, вище якої спостерiгається формування на пiдкладцi структури графену. Для того, щоб перевiрити чутливiсть результатiв симуляцiй, ми тестуємо два емпiричних потенцiали i оцiнюємо їхню надiйнiсть шляхом розрахунку характеристик графену, довжини зв’язку вуглець-вуглець, парної кореляцiйної функцiї та енергiї зв’язку. |
|
| Date |
2017-06-10T19:52:57Z
2017-06-10T19:52:57Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Growth of graphene on 6H-SiC by molecular dynamics simulation / N. Jakse, R. Arifin, S.K. Lai // Condensed Matter Physics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 43802:1-7. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.
1607-324X PACS: 81.05.ue 31.15.xv 68.55.A- DOI:10.5488/CMP.14.43802 arXiv:1202.4846 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120056 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|