The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
|
|
| Creator |
V'yunov, O.I.
Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
|
| Description |
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated. Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. |
|
| Date |
2017-06-12T17:31:07Z
2017-06-12T17:31:07Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
The effect of isovalent substitutions
and dopants of 3d-metals on the
properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
1607-324X PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy DOI:10.5488/CMP.6.2.213 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|