Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆
|
|
| Creator |
Maior, M.M.
Molnar, Sh.B. Vrabel, V.T. Gurzan, M.I. Motrja, S.F. Vysochanskii, Yu.M. |
|
| Description |
The temperature-frequency studies of dielectric susceptibility in Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆ and crystals at low temperatures are reported. The freezing relaxation dynamics has been observed in a temperature-frequency dependence of the dielectric properties in the crystals which are in a polydomain ferroelectric state as well as in the crystals (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4 which at low temperatures are in the incommensurate phase. The nature of the effect and its interrelation with dynamics of ferroelectric domain walls and incommensurate structure is discussed. В роботі приводяться температурно-частотні дослідження діелектричної проникливості при низьких температурах в кристалах в Sn₂P₂S₆, Sn₂P₂Se₆, (PbySn₁−y)₂P2Se₆. Спостерігалося заморожування релаксаційної динаміки на температурно-частотних залежностях діелектричних властивостей, як в кристалах які при низьких температурах знаходяться в сегнетоелектричному полідоменному стані, так і в кристалах (PbySn₁−y)₂P₂Se₆ with y > 0.4, які при низьких температурах знаходяться в неспівмірній фазі. Обговорюється природа ефекту у взаємозв’язку з сегнетоелектричними доменами і неспівмірною структурою. |
|
| Date |
2017-06-12T17:40:51Z
2017-06-12T17:40:51Z 2003 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Dielectric relaxation and freezing effect in Sn₂P₂S₆ / M.M. Maior, Sh.B. Molnar, V.T. Vrabel, M.I. Gurzan, S.F. Motrja, Yu.M. Vysochanskii // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 293-299. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.
1607-324X PACS: 77.84.D, 77.80.Bh DOI:10.5488/CMP.6.2.293 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120718 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|