Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
|
|
| Creator |
Dugaev, V.K.
Mironov, O.A. Kosyachenko, S.V. |
|
| Description |
We present the results of calculations of the piezoelectric effect in a Si/SiGe multilayer structure with a narrow quantum well and a wide layer of doped Si semiconductor. The proposed theory is a possible explanation of some recent experiments on these structures. Представлені результати розрахунків п’єзоелектричного ефекту в Si/SiGe багатошаровій структурі з вузькою квантовою ямою і товстим шаром легованого напівпровідного кремнію Si. Запропонована теорія є можливим поясненням деяких недавніх екпериментів на цих структурах. |
|
| Date |
2017-06-13T12:04:25Z
2017-06-13T12:04:25Z 2000 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures / V.K. Dugaev, O.A. Mironov, S.V. Kosyachenko // Condensed Matter Physics. — 2000. — Т. 3, № 4(24). — С. 835-844. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
1607-324X DOI:10.5488/CMP.3.4.835 PACS: 77.65.Ly, 85.50.+k, 73.61.-r http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120979 |
|
| Language |
en
|
|
| Relation |
Condensed Matter Physics
|
|
| Publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
|
|