Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
|
|
| Creator |
Петров, П.В.
Иванов, Ю.Л. Аверкиев, Н.С. |
|
| Subject |
XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
|
|
| Description |
Описаны результаты оптических исследований структур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, содержащими положительно заряженные акцепторы (A⁺ центры). При помощи магнитооптических измерений получена информация о спиновой структуре и локализации в двумерной системе A⁺ центров. При помощи измерений температурных свойств фотолюминесценции исследована энергетическая структура примесной A⁺ зоны. На основании анализа совокупности экспериментальных результатов, полученных различными оптическими методами, а также сопоставления с транспортными измерениями, сформулирована единая физическая картина спиновых и зарядовых явлений в таких системах. Предложена новая методика для экспериментального исследования кулоновской щели, появляющейся при низких температурах в плотности локализованных состояний, основанная на измерении спектров фотовозбуждения и фотолюминесценции.
Описано результати оптичних досліджень структур з квантовими ямами GaAs/AlGaAs, що містять позитивно заряджені акцептори (A⁺ центри). За допомогою магнітооптичних вимірів отримано інформацію про спінову структуру та локалізацію в двовимірній системі A⁺ центрів. За допомогою вимірів температурних властивостей фотолюмінесценції досліджено енергетичну структуру домішкової A⁺ зони. На підставі аналізу сукупності експериментальних результатів, які отримано різними оптичними методами, а також зіставлення з транспортними вимірами, сформульовано єдину фізичну картину спінових та зарядових явищ в таких системах. Запропоновано нову методику для експериментального дослідження кулонівської щілини, що з'являється при низьких температурах в щільності локалізованих станів, яка заснована на вимірі спектрів фотозбудження і фотолюмінесценції. Optical data on GaAs/AlGaAs quantum well structures with positively charged acceptors (A⁺ centers) are presented. The magneto-optical measurements have provided information on spin structure and localization in the 2D system of A⁺ centers. The temperature properties of photoluminescence were used to study the energy structure of the A⁺ band. The analysis of all experimental data obtained by different optical methods and their comparison with the results of transport measurements given in literature made it possible to a unified physical picture of charge and spin phenomena in such systems. A new approach has been proposed that permits the Coulomb gap appearing at low temperatures in the density of localized states to be studied by using optical measurements. |
|
| Date |
2017-06-26T04:56:05Z
2017-06-26T04:56:05Z 2015 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs / П.В. Петров, Ю.Л. Ивáнов, Н.С. Аверкиев // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 119-128. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 71.23.–k, 73.90.+f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122029 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Физика низких температур
|
|
| Publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
|
|