Запис Детальніше

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Vernadsky National Library of Ukraine

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Title Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
 
Creator Арапов, Ю.Г.
Гудина, С.В.
Клепикова, А.С.
Неверов, В.Н.
Харус, Г.И.
Шелушинина, Н.Г.
Якунин, М.В.
 
Subject XX Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
 
Description Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных полей B = 0–12 Tл и температур T = 0,4–4,2 К до и после ИК подсветки. Проведен анализ температурной зависимости ширины переходов плато–плато квантового эффекта Холла на основе представлений теории двухпараметрического скейлинга.
Експериментально досліджено подовжнє pxx(B,T) та холловське pxy(B,T) магнітоопіри у режимі цілочисельного квантового ефекту Холлу в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з поодинокою квантовою ямою в діапазоні магнітних полів B = 0–12 Tл та температур T = 0,4–4,2 К до і після ІЧ підсвічування. Проведено аналіз температурної залежності ширини переходів плато–плато квантового ефекту Холлу на основі подавань теорії двохпараметричного скейлінгу.
The longitudinal pxx(B,T) and Hall pxy(B,T) resistivities in the quantum Hall effect (QHE) regime for n-InGaAs/GaAs nanostructures with single quantum wells are investigated at B = 0–12 T and T = 0.4–4.2 K, before and after IR illumination. The temperature dependences of QHE plateau-to-plateau transition width are analyzed by using the two-parameter scaling theory.
 
Date 2017-06-26T05:03:43Z
2017-06-26T05:03:43Z
2015
 
Type Article
 
Identifier Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки / Ю.Г. Арапов, С.В. Гудина, А.С. Клепикова, В.Н. Неверов, Г.И. Харус, Н.Г. Шелушинина, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2015. — Т. 41, № 2. — С. 139-146. — Бібліогр.: 30 назв. — рос.
0132-6414
PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.–f
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122031
 
Language ru
 
Relation Физика низких температур
 
Publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України