The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit
Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування.
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
The Method of Bandwidth Extension of SiGe BiCMOS Microwave Variable-Gain Amplifier Integrated Circuit
Метод расширения диапазона рабочих частот микросхемы SiGe БиКМОП СВЧ регулируемого усилитель Метод розширення діапазону робочих частот SiGe БіКМОН НВЧ мікросхеми регульованого підсилювача |
|
| Creator |
Savchenko, Е. М.
Budiakov, А. S. Budiakov, P. S. Prokopenko, N. N. |
|
| Subject |
621.382
variable-gain amplifier; "folded" casсode; operational amplifier; SiGe BiCMOS technology; R-2R matrix; cancellation; upper frequency limit — регулируемый усилитель; “перегнутый” каскод; операционный усилитель; SiGe БиКМОП технология; матрица R-2R; взаимная компенсация; верхняя граничная частота — регульований підсилювач; "перегнутий" каскод; операційний підсилювач; SiGe БіКМОН технологія; матриця R-2R; взаємна компенсація; верхня гранична частота |
|
| Description |
The article proposes a method of bandwidth extension of the analog integrated circuit of the variable-gain amplifier (VGA) based on SiGe BiCMOS technology with the rules of 0.18 µm. The designed VGA has a linear (in dB) control characteristic. The authors consider the VGA architecture and present its design outputs. They describe the properties of two modifications of the VGA integrated circuit – with classical correction of the response and with the circuit of the parasitic capacitance cancellation in the high-impedance node. The article shows that the second circuit solution allows increasing the upper frequency limit of the VGA by a factor of 1.8-2.
Предлагается метод расширения диапазона рабочих частот аналоговой микросхемы регулируемого усилителя (РУ) по SiGe БиКМОП технологии с проектными нормами 0,18 мкм. Разработанный РУ имеет линейную (в дБ) характеристику управления. Рассматривается архитектура РУ и приводятся результаты его проектирования. Описаны свойства двух модификаций микросхемы РУ - с классической коррекцией амплитудно-частотной характеристики и с цепью взаимной компенсации паразитной емкости в высокоимпедансном узле. Показано, что второе схемотехническое решение позволяет увеличить верхнюю граничную частоту РУ в 1,8-2 раза. Запропоновано метод розширення діапазону робочих частот аналогової мікросхеми регульованого підсилювача (РП) за SiGe БіКМОН технології з проектними нормами 0,18 мкм. Розроблений РП має лінійну (в дБ) характеристику управління. Розглядається архітектура РП і наводяться результати його проектування. Описано властивості двох модифікацій мікросхеми РП - з класичною корекцією амплітудно-частотної характеристики і з ланцюгом взаємної компенсації паразитної ємності у високоімпедансному вузлі. Показано, що друге схемотехнічне рішення дозволяє збільшити верхню граничну частоту РП в 1,8-2 рази. |
|
| Publisher |
National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute"
|
|
| Contributor |
The research is carried out at the expense of the Grant of the Russian Science Foundation (project № 16-19-00122)
— — |
|
| Date |
2017-07-01
|
|
| Type |
info:eu-repo/semantics/article
info:eu-repo/semantics/publishedVersion — — — |
|
| Format |
application/pdf
|
|
| Identifier |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1400
|
|
| Source |
BULLETIN of National Technical University of Ukraine. Series RADIOTECHNIQUE. RADIOAPPARATUS BUILDING; № 69 (2017); 5-10
Вестник НТУУ "КПИ". Серия Радиотехника, Радиоаппаратостроение; № 69 (2017); 5-10 Вісник НТУУ "КПІ". Серія Радіотехніка, Радіоапаратобудування; № 69 (2017); 5-10 2310-0389 2310-0397 |
|
| Language |
eng
|
|
| Relation |
http://radap.kpi.ua/radiotechnique/article/view/1400/1300
|
|
| Rights |
##submission.copyrightStatement##
http://creativecommons.org/licenses/by/4.0 |
|