Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅
|
|
| Creator |
Аркуша, Ю.В.
|
|
| Description |
С помощью двухтемпературной модели междолинного переноса электронов теоретически исследованы энергетические и частотные характеристики диодов Ганна на основе InрGa1–рAs (с докритическим уровнем легирования активной области в режиме однородного поля) и на основе InP1–рAsр (в пролетном режиме c запорным металлическим катодным контактом). Показано, что диоды Ганна на основе InрGa1–рAs в режиме однородного поля имеют отрицательную дифференциальную проводимость в широком диапазоне частот (до 200 ГГц), а диоды Ганна на основе InP1–рAsр являются перспективными по своим энергетическим и частотным характеристикам.
За допомогою двотемпературної моделі міждолинного переносу електронів теоретично досліджені енергетичні та частотні характеристики діодів Ганна на основі InрGa1–рAs (з докритичним рівнем легування активної області у режимі однорідного поля) і на основі InP1–рAsр у пролітному режимі із запірним металевим катодним контактом. Показано, що діоди Ганна на основі InрGa1–рAs у режимі однорідного поля мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот, а діоди Ганна на основі InP1–рAsр є перспективними за своїми енергетичними та частотними характеристиками. Theoretically with the use of two-temperature model the power and frequency characteristics of Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs with subcritical doping level of active area in a homogeneous field regime, and InP1-pAsp Gunn diodes in transit time regime are investigated. It is shown that the Gunn diodes on a basis of InpGa1-pAs in a homogeneous field regime have negative differential conductivity in a wide frequency range (up to 200 GHz), and the InP1-pAsp Gunn diodes have more promising power and frequency characteristics. |
|
| Date |
2017-07-02T09:43:57Z
2017-07-02T09:43:57Z 2002 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Металлический катодный контакт к диодам Ганна на основе некоторых перспективных соединений полупроводников А₃В₅ / Ю.В. Аркуша // Радиофизика и радиоастрономия. — 2002. — Т. 7, № 2. — С. 194-200. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
1027-9636 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122317 621.382.2 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Радиофизика и радиоастрономия
|
|
| Publisher |
Радіоастрономічний інститут НАН України
|
|